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        CN | EN

        產(chǎn)品品牌

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        型號

        規(guī)格書

        品牌

        DRAM類型

        容量

        架構(gòu)

        速率

        工作電壓

        工作溫度

        產(chǎn)品詳情

        MT51J256M32HF-70

        GDDR5

        MT51J256M32HF-70

        GDDR5

        美光

        8Gb

        0C to +95C

        D9SXD

        Production

        x32

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        H56G8H24AIR-S2C

        GDDR6

        H56G8H24AIR-S2C

        GDDR6

        SK hynix/海力士

        8Gb

        DDR 7.0GHz

        1.35V / 1.35V

        FCBGA

        MP

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        H56G42AS4DX014

        GDDR6

        H56G42AS4DX014

        GDDR6

        SK hynix/海力士

        16Gb

        DDR 8.0GHz

        1.35V / 1.35V

        FCBGA

        CS

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        K4ZAF325BM-HC16

        GDDR6

        K4ZAF325BM-HC16

        DRAM GDDR6

        SAMSUNG/三星

        16Gb

        512Mx32

        16.0Gbps

        FBGA-180

        EOL

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        MT61K256M32JE-14:A

        GDDR6

        MT61K256M32JE-14:A

        DRAM GDDR6

        MICRON/美光

        8Gb

        256Mx32

        1.31V~1.39V

        0°C~95°C

        TFBGA-180

        EOL

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        K4Z80325BC-HC14

        GDDR6

        K4Z80325BC-HC14

        DRAM GDDR6

        SAMSUNG/三星

        8Gb

        256Mx32

        14.0 Gbps

        FBGA-180

        Mass Production

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        K4Z80325BC-HC16

        GDDR6

        K4Z80325BC-HC16

        GDDR6

        SAMSUNG三星

        8 Gb

        256M x 32

        16.0 Gbps

        180 FBGA

        EOL

        16K / 32 ms

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        MT61K512M32KPA-14:B TR

        GDDR6

        MT61K512M32KPA-14:B TR

        GDDR6

        美光

        16G

        512MX32

        FBGA

        動態(tài)隨機存取存儲器 GDDR6 16G 512MX32 FBGA DDP 制造商 美光-Micron

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        K4ZAF325BC-SC16

        GDDR6

        K4ZAF325BC-SC16

        GDDR6

        SAMSUNG三星

        16 Gb

        512M x 32

        16.0 Gbps

        180 FBGA

        Mass Production

        16K / 32 ms

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        K4ZAF325BC-SC20

        GDDR6

        K4ZAF325BC-SC20

        GDDR6

        SAMSUNG三星

        16 Gb

        512M x 32

        20.0 Gbps

        180 FBGA

        Mass Production

        16K / 32 ms

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        K4ZAF325BM-HC14

        GDDR6

        K4ZAF325BM-HC14

        GDDR6

        SAMSUNG三星

        16 Gb

        512M x 32

        14.0 Gbps

        180 FBGA

        EOL

        16K / 32 ms

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        K4ZAF325BM-HC18

        GDDR6

        K4ZAF325BM-HC18

        GDDR6

        SAMSUNG/三星

        16 Gb

        512M x 32

        18.0 Gbps

        180 FBGA

        EOL

        16K / 32 ms

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        H56G42AS4DX014N

        GDDR6

        H56G42AS4DX014

        GDDR6

        海力士

        16Gb

        1.35V / 1.35V

        DDR 8.0GHz

        FCBGA

        CS

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        H56G42AS6DX014N

        GDDR6

        H56G42AS6DX014N

        GDDR6

        SK HYNIX/海力士

        16Gb

        1.35V / 1.35V

        FCBGA

        DDR 9.0GHz

        CS

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        MT61K512M32KPA-16:C

        GDDR6

        MT61K512M32KPA-16:C

        GDDR6

        Micron美光

        16Gb

        512M x32

        2GHz

        0C to +95C

        180-ball

        End of Life

        16GTPS

        COMPONENT

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        MT61K512M32KPA-16:C

        GDDR6

        MT61K512M32KPA-16:C

        GDDR6

        Micron美光

        16Gb

        512M x32

        2GHz

        0C to +95C

        180-ball

        End of Life

        16GTPS

        COMPONENT

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        MT61K512M32KPA-16:C

        GDDR6

        MT61K512M32KPA-16:C

        GDDR6

        Micron美光

        16Gb

        512M x32

        2GHz

        0C to +95C

        180-ball

        End of Life

        16GTPS

        COMPONENT

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        H56G42AS4DX014N

        GDDR6

        H56G42AS4DX014N

        GDDR6

        SKHYNIX海力士

        16Gb

        DDR 8.0GHz

        1.35V / 1.35V

        FCBGA

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        MT46H32M16LFBF-5 IT:C

        LPDDR

        MT46H32M16LFBF-5 IT:C

        LPDDR

        MICRON/美光

        D9LQQ

        512Mb

        Production

        Width: x16

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        MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR

        LPDDR

        MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR

        DRAM LPDDR

        MICRON/美光

        1Gb

        32Mx32

        1.7V~1.95V

        -40℃~85℃

        VFBGA-90

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