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        CN | EN

        產(chǎn)品品牌

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        型號

        規(guī)格書

        品牌

        DRAM類型

        容量

        架構(gòu)

        速率

        工作電壓

        工作溫度

        產(chǎn)品詳情

        HMCG94AEBRA109N

        DDR5

        HMCG94AEBRA109N

        DDR5

        SK hynix海力士

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        HMCG94MEBRA123N

        DDR5

        HMCG94MEBRA123N

        DDR5

        SK hynix海力士

        64 GB

        x4

        4800Mbps

        CS

        SDP

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        M321R8GA0BB0-CQK

        DDR5

        M321R8GA0BB0-CQK

        DDR5

        SAMSUNG三星

        64 GB

        2R x 4

        4800 Mbps

        1.1 V

        (4G x 4) x 40

        Mass Production

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        M321R8GA0PB2-CCP

        DDR5

        M321R8GA0PB2-CCP

        DDR5

        SAMSUNG三星

        64 GB

        2R x 4

        6400 Mbps

        1.1 V

        (4G x 4) x 40

        Sample

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        HMCG94AGBRA182N

        DDR5

        HMCG94AGBRA182N

        DDR5

        SK hynix海力士

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        H5TQ4G63EFR-TEC

        DRAM

        H5TQ4G63EFR-TEC

        DDR SDRAM

        SK HYNIX/海力士

        4G

        256Mx16

        2133Mbps

        1.5V

        0°C~95°C

        FBGA-96

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        MT53D512M32D2DS-046 WT:D

        DRAM

        MT53D512M32D2DS-046 WT:D

        DRAM

        MICRON/美光

        SDRAM存儲器

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        MT48LC16M16A2B4-6A IT:G

        DRAM

        MT48LC16M16A2B4-6A IT:G

        DRAM

        MICRON/美光

        256Mb

        16Mx16

        3V~3.6V

        -40℃~85℃

        FBGA-54

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        MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR

        DRAM

        MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR

        DRAM

        MICRON/美光

        256Mb

        16Mx16

        3V~3.6V

        -40℃~85℃

        TSOP-54

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        MT46V64M8CY-5B:J TR

        DRAM

        MT46V64M8CY-5B:J TR

        DRAM

        MICRON/美光

        512Mb

        64Mx8

        2.5V~2.7V

        0°C~70°C

        FBGA-60

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        MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR

        DRAM

        MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR

        DRAM

        MICRON/美光

        1Gb

        64Mx16

        1.7V~1.95V

        -40℃~85℃

        VFBGA-60

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        H25G9TCX8CX326A

        DRAM

        H25G9TCX8CX326A

        DRAM

        SK HYNIX/海力士

        -40°C~125°C

        BGA

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        K3UH5H50AM-AGCL

        DRAM

        K3UH5H50AM-AGCL

        DRAM

        三星-Samsung

        32Gb

        x64

        4266Mbps

        1.8 / 1.1 / 0.6 V

        -25 ~ 85 °C

        556FBGA

        Sample

        四代超低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器

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        K3UH5H50AM-AGCL

        DRAM

        K3UH5H50AM-AGCL

        DRAM

        SAMSUNG三星

        32Gb

        x64

        4266Mbps

        1.8 / 1.1 / 0.6 V

        -25 ~ 85 °C

        556FBGA

        Sample

        四代超低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器

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        H5AN4G6NBJR-UHC

        DRAM

        H5AN4G6NBJR-UHC

        DDR SDRAM

        SK HYNIX/海力士

        4G

        256Mx16

        2400Mbps

        1.2V

        0°C~85°C

        BGA-96

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        H5GC8H24AJR-R2C

        GDDR5

        H5GC8H24AJR-R2C

        GDDR5

        SK hynix/海力士

        8Gb

        DDR 3.5GHz

        1.35V / 1.35V

        FCBGA

        MP

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        MT51J256M32HF-80

        GDDR5

        MT51J256M32HF-80

        GDDR5

        MICRON/美光

        8Gb

        x32

        0C to +95C

        D9TCB

        Production

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        K4G80325FC-HC25TSO

        GDDR5

        K4G80325FC-HC25TSO

        GDDR5

        三星

        8 Gb

        256M x 32

        8.0 Gbps

        170 FBGA

        EOL

        16K / 32 ms

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        K4G80325FC-HC25000

        GDDR5

        K4G80325FC-HC25000

        GDDR5

        SAMSUNG三星

        8 Gb

        256M x 32

        8.0 Gbps

        170 FBGA

        EOL

        16K / 32 ms

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        K4G80325FC-HC25

        GDDR5

        K4G80325FC-HC25

        DRAM GDDR5

        SAMSUNG/三星

        8Gb

        256Mx32

        8.0 Gbps

        FBGA-170

        EOL

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