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        CN | EN

        產(chǎn)品品牌

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        型號(hào)

        規(guī)格書(shū)

        品牌

        DRAM類(lèi)型

        容量

        架構(gòu)

        速率

        工作電壓

        工作溫度

        產(chǎn)品詳情

        K4ABG165WA-MCTD

        DDR4

        K4ABG165WA-MCTD

        DRAM DDR4

        SAMSUNG/三星

        32Gb

        2Gx16

        2666Mbps

        1.2V

        0°C~85°C

        FBGA-96

        Mass Production

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        K4ABG165WA-MCWE

        DDR4

        K4ABG165WA-MCWE

        DRAM DDR4

        SAMSUNG/三星

        32Gb

        2Gx16

        3200Mbps

        1.2V

        0°C~85°C

        FBGA-96

        Mass Production

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        K4A4G165WF-BCTD

        DDR4

        K4A4G165WF-BCTD

        DRAM DDR4

        SAMSUNG/三星

        4Gb

        256Mx16

        2666Mbps

        1.2V

        0°C~85°C

        FBGA-96

        Mass Production

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        MT40A256M16LY-062E IT:F

        DDR4

        MT40A256M16LY-062E IT:F

        DDR4

        MICRON/美光

        4Gb

        256M x16

        1600MHz

        1.2V

        -40C to +95C

        96-ball TFBGA

        Production

        3200MTPS

        CL = 22

        DDR4 4G X16 TFBGA

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        MT40A512M16LY-062E:E

        DDR4

        MT40A512M16LY-062E:E

        DDR4

        MICRON/美光

        8Gb

        512M x16

        1600MHz

        1.2V

        0C to +95C

        96-ball TFBGA

        Production

        3200MTPS

        CL = 22

        DDR4 8G X16 TFBGA

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        MT40A1G16KD-062E IT:E

        DDR4

        MT40A1G16KD-062E IT:E

        DDR4

        MICRON/美光

        16Gb

        -40C to +95C

        D8BHW

        Production

        Width:x16

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        MT40A1G16TB-062E:F

        DDR4

        MT40A1G16TB-062E:F

        DDR4

        MICRON/美光

        16Gb

        1G x16

        1600MHz

        1.2V

        0C to +95C

        96-ball TFBGA

        Production

        3200MTPS

        CL = 22

        DDR4 16G X16 TFBGA

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        K4ABG165WB-MCWE

        DDR4

        K4ABG165WB-MCWE

        DRAM DDR4

        SAMSUNG/三星

        32Gb

        2Gx16

        3200Mbps

        1.2V

        0°C~85°C

        FBGA-96

        Mass Production

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        MT40A1G16TB-062E IT:F

        DDR4

        MT40A1G16TB-062E IT:F

        DDR4

        MICRON/美光

        16Gb

        1G x16

        1600MHz

        1.2V

        -40C to +95C

        96-ball TFBGA

        Production

        3200MTPS

        CL = 22

        DDR4 16G X16 TFBGA

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        K4ABG085WA-MCTD

        DDR4

        K4ABG085WA-MCTD

        DRAM DDR4

        SAMSUNG/三星

        32Gb

        4Gx8

        2666Mbps

        1.2V

        0°C~85°C

        FBGA-78

        Mass Production

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        MT40A2G16TBB-062E:F

        DDR4

        MT40A2G16TBB-062E:F

        DDR4

        MICRON/美光

        32Gb

        2G x16

        1600MHz

        1.2V

        0C to +95C

        96-ball TFBGA

        Production

        3200MTPS

        CL = 22

        DDR4 32G X16 TFBGA

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        K4AAG165WB-MCTD

        DDR4

        K4AAG165WB-MCTD

        DRAM DDR4

        SAMSUNG/三星

        16Gb

        1Gx16

        2666Mbps

        1.2V

        0°C~85°C

        FBGA-96

        Mass Production

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        MT40A1G8SA-075:E

        DDR4

        MT40A1G8SA-075:E

        DDR4

        MICRON/美光

        8Gb

        1G x8

        1333MHz

        1.2V

        0C to +95C

        78-ball TFBGA

        Production

        2666MTPS

        CL = 19

        DDR4 8G X8 TFBGA

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        K4AAG165WB-BCWE

        DDR4

        K4AAG165WB-BCWE

        DRAM DDR4

        SAMSUNG/三星

        16Gb

        4Gx4

        3200Mbps

        1.2V

        0°C~85°C

        FBGA-78

        Mass Production

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        MT40A1G8SA-062E:E

        DDR4

        MT40A1G8SA-062E:E

        DDR4

        MICRON/美光

        8Gb

        1G x8

        1600MHz

        1.2V

        0C to +95C

        78-ball TFBGA

        3200MTPS

        CL = 22

        DDR4 8G X8 TFBGA

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        K4AAG165WA-BIWE

        DDR4

        K4AAG165WA-BIWE

        DRAM DDR4

        SAMSUNG/三星

        16Gb

        1Gx16

        3200Mbps

        1.2V

        -40°C~95°C

        FBGA-96

        Mass Production

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        MT40A1G8SA-062E:R

        DDR4

        MT40A1G8SA-062E:R

        DDR4

        MICRON/美光

        8Gb

        1G x8

        1600MHz

        1.2V

        0C to +95

        78-ball TFBGA

        Production

        3200MTPS

        CL = 22

        DDR4 8G X8 TFBGA

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        MT40A1G8SA-062E IT:E

        DDR4

        MT40A1G8SA-062E IT:E

        DDR4

        MICRON/美光

        8Gb

        1G x8

        1600MHz

        1.2V

        -40C to +95C

        78-ball TFBGA

        Production

        3200MTPS

        CL = 22

        DDR4 8G X8 TFBGA

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        MT40A2G8SA-062E:F

        DDR4

        MT40A2G8SA-062E:F

        DDR4

        MICRON/美光

        16Gb

        2G x8

        1600MHz

        1.2V

        0C to +95C

        78-ball TFBGA

        3200MTP

        CL = 22

        DDR4 16G X8 TFBGA

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        MT40A2G8JC-062E IT:E

        DDR4

        MT40A2G8JC-062E IT:E

        DDR4

        MICRON/美光

        16Gb

        0C to +95C

        D9ZFV

        Sampling

        Width:x8

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