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        CN | EN

        產(chǎn)品品牌

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        型號

        規(guī)格書

        品牌

        DRAM類型

        容量

        架構(gòu)

        速率

        工作電壓

        工作溫度

        產(chǎn)品詳情

        PRN256M8V89CG8GQF-15E

        DDR3

        PRN256M8V89CG8GQF-15E

        DRAM DDR3

        SPECTEK

        2GB

        -0.4V~1.975V

        0℃~95℃

        FBGA-96

        8mm×10.5mm

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        H5TQ4G83EFR-RDC

        DDR3

        H5TQ4G83EFR-RDC

        DRAM DDR3

        SK HYNIX/海力士

        4Gb

        x8

        1866Mbps

        -0.4V~1.80V

        0℃~85℃

        FBGA-78

        Mass Production

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        H5TC4G83BFR-PBA

        DDR3

        H5TC4G83BFR-PBA

        DRAM DDR3

        SK HYNIX/海力士

        4Gb

        x8

        1600Mbps

        -0.4V~1.80V

        0°C~85°C

        FBGA-78

        Mass Production

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        MT41K512M16HA-125:A

        DDR3L

        MT41K512M16HA-125:A

        DRAM DDR3L

        MICRON/美光

        8G

        512Mx16

        1600Mbps

        1.35V

        0°C~85°C

        FBGA-96

        Production

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        MT41K256M8DA-125:K

        DDR3L

        MT41K256M8DA-125:K

        DRAM DDR3L

        MICRON/美光

        2Gb

        x8

        1600 MT/s

        1.35V

        0°C~95°C

        FBGA-78

        8mm×10.5mm×1.2mm

        FBGA CodeD9PSH

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        MT41K128M16JT-125:K

        DDR3L

        MT41K128M16JT-125:K

        DRAM DDR3L

        MICRON/美光

        2Gb

        x16

        1600 MT/s

        1.35V

        0°C~95°C

        FBGA-96

        8mm×14mm×1.2mm

        D9PTK

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        H5TC2G83GFR-PBA

        DDR3L

        H5TC2G83GFR-PBA

        DRAM DDR3L

        SK HYNIX/海力士

        2Gb

        x8

        1866Mbps

        1.283V~1.45V

        0℃~85℃

        FBGA-78

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        H5TQ4G63EFR-RDI

        DDR3L

        H5TQ4G63EFR-RDI

        DRAM DDR3L

        SK HYNIX/海力士

        4Gb

        x16

        1866Mbps

        1.283V~1.45V

        -40℃~85℃

        FBGA-96

        Mass Production

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        H5AN4G6NBJR-UHI

        DDR4

        H5AN4G6NBJR-UHI

        DRAM DDR4

        SK HYNIX/海力士

        4G

        256Mx16

        2400Mbps

        1.2V

        -40°C~95°C

        FBGA-96

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        H5ANAG8NCJR-XNC

        DDR4

        H5ANAG8NCJR-XNC

        DDR4

        SK hynix海力士

        16Gb

        x8

        3200Mbps

        FCBGA

        MP

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        H5AN8G8NDJR-XNC

        DDR4

        H5AN8G8NDJR-XNC

        DDR4

        SK hynix海力士

        8Gb

        x8

        3200Mbps

        FCBGA

        MP

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        H5ANAG6NDMR-VKC

        DDR4

        H5ANAG6NDMR-VKC

        DRAM DDR4

        SK HYNIX/海力士

        16Gb

        x16

        2666Mbps

        1.2V

        0°C~85°C

        FBGA-96

        Mass Production

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        K4AAG085WC-BCWE

        DDR4

        K4AAG085WC-BCWE

        DDR4

        SAMSUNG三星

        16 Gb

        2G x 8

        3200 Mbps

        1.2 V

        0 ~ 85 °C

        78 FBGA

        Sample

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        H5ANAG6NCJR-XNC

        DDR4

        H5ANAG6NCJR-XNC

        DDR4

        SK hynix/海力士

        16Gb

        x16

        3200Mbps

        FCBGA

        MP

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        K4A8G085WG-BCWE

        DDR4

        K4A8G085WG-BCWE

        DDR4

        SAMSUNG三星

        8 Gb

        1G x 8

        3200 Mbps

        1.2 V

        0 ~ 85 °C

        78 FBGA

        Mass Production

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        H5ANBG6NAMR-VKC

        DDR4

        H5ANBG6NAMR-VKC

        DDR4

        SK hynix/海力士

        32Gb

        x16

        2666Mbps

        FBGA

        MP

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        K4A4G085WG-BCWE

        DDR4

        K4A4G085WG-BCWE

        DDR4

        SAMSUNG三星

        4 Gb

        512M x 8

        3200 Mbps

        1.2 V

        0 ~ 85 °C

        78 FBGA

        Mass Production

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        K4AAG085WA-BCWE

        DDR4

        K4AAG085WA-BCWE

        DDR4

        SAMSUNG三星

        16 Gb

        2G x 8

        3200 Mbps

        1.2 V

        0 ~ 85 °C

        78FBGA

        Sample

        四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器

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        K4A8G085WC-BCTD

        DDR4

        K4A8G085WC-BCTD

        DDR4

        SAMSUNG三星

        8Gb

        1G x 8

        2666 Mbps

        1.2 V

        0 ~ 85 °C

        78FBGA

        Mass Production

        四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器

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        K4A4G085WF-BCWE

        DDR4

        K4A4G085WF-BCWE

        DDR4

        SAMSUNG三星

        4 Gb

        512M x 8

        3200 Mbps

        1.2 V

        0 ~ 85 °C

        78 FBGA

        Mass Production

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