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        CN | EN

        產(chǎn)品品牌

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        型號

        規(guī)格書

        品牌

        DRAM類型

        容量

        架構(gòu)

        速率

        工作電壓

        工作溫度

        產(chǎn)品詳情

        NT5CC256M16ER-EKA

        DDR3

        NT5CC256M16ER-EKA

        DDR3

        Nanya/南亞

        4Gb

        x16

        1866Mbps

        1.35V

        -40C~95C

        96-ball BGA

        Developing

        Auto G3

        車用與工規(guī)等級DRAM-DDR3

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        NT5CC256M16DP-DI

        DDR3

        NT5CC256M16DP-DI

        DDR3

        Nanya/南亞

        4Gb

        x16

        1600Mbps

        1.35V

        0C~95C

        96-ball BGA

        MP

        Commercial

        標(biāo)準(zhǔn)型DRAM-DDR3

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        NT5CC512M8EQ-EK

        DDR3

        NT5CC512M8EQ-EK

        DDR3

        Nanya/南亞

        4Gb

        x8

        1866Mbps

        1.35V

        0C~95C

        78-ball BGA

        MP

        Commercial

        標(biāo)準(zhǔn)型DRAM-DDR3

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        NT5CC512M8EQ-EKI

        DDR3

        NT5CC512M8EQ-EKI

        DDR3

        Nanya/南亞

        4Gb

        x8

        1866Mbps

        1.35V

        -40C~95C

        78-ball BGA

        MP

        Industrial

        車用與工規(guī)等級DRAM-DDR3

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        MT41K64M16TW-107:J

        DDR3

        MT41K64M16TW-107:J

        DRAM DDR3

        MICRON/美光

        1Gb

        64Mx16

        1866 MT/s

        1.283V~1.45V

        0°C~95°C

        FBGA-96

        D9SFT

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        MT41K512M8DA-107:P

        DDR3

        MT41K512M8DA-107:P

        DRAM DDR3

        MICRON/美光

        4Gb

        x8

        1866 MT/s

        0°C~95°C

        FBGA

        D9SGQ

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        MT41K512M16VRP-107 IT:P

        DDR3

        MT41K512M16VRP-107 IT:P

        DRAM DDR3

        MICRON/美光

        8Gb

        512Mx16

        1866 MT/s

        1.283V~1.45V

        -40°C~95°C

        TFBGA-96

        D9ZWN

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        MT41K512M16HA-107:A

        DDR3

        MT41K512M16HA-107:A

        DRAM DDR3

        MICRON/美光

        8Gb

        512Mx16

        1.283V~1.45V

        0°C~95°C

        TFBGA-96

        EOL

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        MT41K256M16TW-107:P

        DDR3

        MT41K256M16TW-107:P

        DRAM DDR3

        MICRON/美光

        4Gb

        x16

        1866 MT/s

        0°C~95°C

        FBGA-96

        D9SHD

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        MT41K256M16TW-107 IT:P

        DDR3

        MT41K256M16TW-107 IT:P

        DRAM DDR3

        MICRON/美光

        4Gb

        256Mx16

        1.283V~1.45V

        -40°C~95°C

        TFBGA-96

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        MT41K128M16JT-125 IT:K

        DDR3

        MT41K128M16JT-125 IT:K

        DRAM DDR3

        MICRON/美光

        2Gb

        x16

        1600 MT/s

        -40°C~95°C

        FBGA-96

        D9PSK

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        MT41K512M16VRP-107 IT:P TR

        DDR3

        MT41K512M16VRP-107 IT:P TR

        DRAM DDR3

        MICRON/美光

        8Gb

        512Mx16

        1866Mbps

        1.35V

        0°C~85°C

        FBGA-96

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        MT41K512M16VRN-107 IT:P

        DDR3

        MT41K512M16VRN-107 IT:P

        DRAM DDR3

        MICRON/美光

        8Gb

        x16

        1866 MT/s

        -40°C~95°C

        FBGA-96

        D9XLQ

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        NT5CC128M16JR-EK

        DDR3

        NT5CC128M16JR-EK

        DRAM DDR3

        NANYA/南亞

        2Gb

        x16

        1866Mbps

        1.35V

        0°C~95°C

        BGA-96

        Developing

        7.5mm×13mm×0.8mm

        商業(yè)級

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        K4B8G1646D-MYK0

        DDR3

        K4B8G1646D-MYK0

        DRAM DDR3

        SAMSUNG/三星

        8Gb

        512Mx16

        1600Mbps

        1.35V

        0°C~85°C

        FBGA-96

        Mass Production

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        NT5CC64M16GP-DI

        DDR3

        NT5CC64M16GP-DI

        DRAM DDR3

        NANYA/南亞

        1Gb

        x16

        1600Mbps

        1.35V

        0°C~95°C

        BGA-96

        Mass Production

        8mm×13mm×0.8mm

        商業(yè)級

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        K4B4G1646E-BCMA

        DDR3

        K4B4G1646E-BCMA

        DRAM DDR3

        SAMSUNG/三星

        4Gb

        512Mx8

        1866Mbps

        1.5V

        0°C~85°C

        FBGA-96

        Mass Production

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        NT5CC512M8EN-EK

        DDR3

        NT5CC512M8EN-EK

        DRAM DDR3

        NANYA/南亞

        4Gb

        x8

        1866Mbps

        1.35V

        0°C~95°C

        BGA-78

        Mass Production

        8mm×10.5mm×0.8mm

        商業(yè)級

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        K4B4G0846E-BCNB

        DDR3

        K4B4G0846E-BCNB

        DRAM DDR3

        SAMSUNG/三星

        4GB

        512Mx8

        2133Mbps

        1.5V

        0°C~85°C

        FBGA-78

        Mass Production

        2000/REEL

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        NT5CC256M16ER-EKI

        DDR3

        NT5CC256M16ER-EKI

        DRAM DDR3

        NANYA/南亞

        4Gb

        x16

        1866Mbps

        1.35V

        -40°C~95°C

        BGA-96

        Mass Production

        8mm×13mm×0.8mm

        工業(yè)級

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