如需更詳細的資料,請聯(lián)系我們 ;
型號
規(guī)格書
品牌
DRAM類型
容量
架構(gòu)
速率
工作電壓
工作溫度
產(chǎn)品詳情
K4UBE3D4AA-MGCR
LPDDR4X
DRAM LPDDR4X
SAMSUNG/三星
32Gb
x32
4266Mbps
1.8/1.1/0.6V
-25°C~85°C
FBGA-200
Sample
點擊查看
K4U6E3S4AA-MGCL
16Gb
Mass Production
K3UH7H70AM-JGCR
64Gb
x64
FBGA-432
K4U8E3S4AD-GFCL
8Gb
-40°C~95°C
K3UH7H70MM-NGCJ
64 GB
3733Mbps
FBGA-366
H9AG8GDMNBX113
SK hynix/海力士
3GB
CS
eMMC5.1
32GB
H9AG9GEANBX101
6GB
MP
64GB
K4UBE3D4AB-MGCL
K4UBE3D4AA-MGCL
2000/REEL
K4U6E3S4AA-MGCR
H9HKNNNFBMAVAR-NEH
SK HYNIX/海力士
8GB
x16
1.8V/1.1V/0.6V
-30℃~105℃
BGA-556
H9HCNNNCPUMLXR-NEE
4GB
1.8V/1.1V/1.1V
-25℃~85℃
BGA-200
H9HCNNN4KUMLHR-NLO
256Mx16
3200Mbps
1.1V
-40°C~105°C
H9HCNNN4KMMLHR-NME
0.5GB
H9HKNNNCRMBVAR-NEH
H9HCNNNFAMMLXR-NEE
H9HCNNNCPMMLXR-NEE
H9HCNNNCPMALHR-NEE
K3UH5H50MM-NGCJ
3733 Mbps
1.8 / 1.1 / 0.6 V
-25 ~ 85 °C
366FBGA
K4U8E3S4AD-CHCL
8 Gb
4266 Mbps
-40 ~ 105 °C
200FBGA
四代超低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
Copyright(C)Since2024 深圳市迅豐達電子科技有限公司 版權(quán)所有 粵ICP備2021091299號-1
: 粵公網(wǎng)安備 粵公網(wǎng)安備44030402004852號