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        CN | EN

        產(chǎn)品品牌

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        型號(hào)

        規(guī)格書

        DRAM類型

        容量

        架構(gòu)

        速率

        工作電壓

        工作溫度

        產(chǎn)品詳情

        M386A8K40DM2-CWE

        M386A8K40DM2-CWE

        DDR4

        SAMSUNG三星

        64 GB

        4R x 4

        3200 Mbps

        1.2 V

        (DDP4G x 4) x 36

        Sample

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        M321R2GA3BB6-CQK

        M321R2GA3BB6-CQK

        DDR5

        SAMSUNG三星

        16 GB

        1R x 8

        4800 Mbps

        1.1 V

        (2G x 8) x 10

        Mass Production

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        M321R4GA3BB6-CQK

        M321R4GA3BB6-CQK

        DDR5

        SAMSUNG三星

        32 GB

        2R x 8

        4800 Mbps

        1.1 V

        (2G x 8) x 20

        Mass Production

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        M321R4GA3PB0-CWM

        M321R4GA3PB0-CWM

        DDR5

        SAMSUNG三星

        32 GB

        2R x 8

        5600 Mbps

        1.1 V

        (2G x 8) x 20

        Mass Production

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        M321R4GA3EB2-CCP

        M321R4GA3EB2-CCP

        DDR5

        SAMSUNG三星

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        M321R8GA0BB0-CQK

        M321R8GA0BB0-CQK

        DDR5

        SAMSUNG三星

        64 GB

        2R x 4

        4800 Mbps

        1.1 V

        (4G x 4) x 40

        Mass Production

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        M321R8GA0PB2-CCP

        M321R8GA0PB2-CCP

        DDR5

        SAMSUNG三星

        64 GB

        2R x 4

        6400 Mbps

        1.1 V

        (4G x 4) x 40

        Sample

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        K3KL9L90CM-MGCT

        K3KL9L90CM-MGCT

        SAMSUNG/三星

        64 Gb

        x32

        7500 Mbps

        1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V

        -25 ~ 85 °C

        315 FBGA

        Mass Production

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        K3KL8L80CM-MGCT

        K3KL8L80CM-MGCT

        32 Gb

        x32

        SAMSUNG/三星

        7500 Mbps

        1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V

        -25 ~ 85 °C

        315 FBGA

        Mass Production

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        K3LK7K70BM-BGCP

        K3LK7K70BM-BGCP

        LPDDR5

        SAMSUNG/三星

        64 Gb

        x64

        6400 Mbps

        1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V

        -25 ~ 85 °C

        496 FBGA

        Mass Production

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        K4E6E304EC-EGCF

        K4E6E304EC-EGCF

        DRAM LPDDR3

        SAMSUNG/三星

        16Gb

        512Mx32

        1866Mbps

        1.8V/1.2V

        -25°C~85°C

        FBGA-178

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        K4E8E324EB-AGCF

        K4E8E324EB-AGCF

        DRAM LPDDR3

        SAMSUNG/三星

        8Gb

        256Mx32

        1866Mbps

        1.8V/1.2V

        -25°C~85°C

        FBGA-168

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        K9F2G08U0D-SIB0

        K9F2G08U0D-SIB0

        FLASH

        SAMSUNG/三星

        2G

        256Mx8

        2.7v~3.6v

        -40°C~85°C

        TS0P-48

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        MZQLB3T8HALS-00003

        MZQLB3T8HALS-00003

        SSD

        SAMSUNG/三星

        3.84TB

        Mass Production

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        KLMBG4GESD-B02P

        KLMBG4GESD-B02P

        eMMC

        SAMSUNG/三星

        32GB

        BGA

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        KLMAG2GESD-C02P

        KLMAG2GESD-C02P

        eMMC

        SAMSUNG/三星

        16GB

        1.8V/3.3V

        -40°C~85°C

        FBGA-100

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        K4F8E304HB-MGCH

        K4F8E304HB-MGCH

        DRAM DDR4

        SAMSUNG/三星

        8GB

        256Mx32

        BGA

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        K3UH7H70BM-AGCL

        K3UH7H70BM-AGCL

        DRAM LPDDR4X

        SAMSUNG/三星

        64GB

        x64

        BGA

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        K4F4E3S4HF-MGCJ

        K4F4E3S4HF-MGCJ

        DRAM LPDDR4

        SAMSUNG/三星

        4Gb

        x32

        3733Mbps

        1.8/1.1/1.1V

        BGA

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        K4UJE3T4AA-MGCL

        K4UJE3T4AA-MGCL

        DRAM LPDDR4X

        SAMSUNG/三星

        64GB

        x32

        BGA

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