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        CN | EN

        產(chǎn)品品牌

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        型號

        規(guī)格書

        DRAM類型

        容量

        架構(gòu)

        速率

        工作電壓

        工作溫度

        產(chǎn)品詳情

        KHBBC4B03B-MC1JT00

        KHBBC4B03B-MC1JT00

        HBM

        SAMSUNG/三星

        36GB

        HBM3E-8.0Gbps

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        KHBB84A03B-MC1JT00

        KHBB84A03B-MC1JT00

        HBM

        SAMSUNG/三星

        24GB

        HBM3E-8.0Gbps

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        KHBAC4A03D-MC1HT00

        KHBAC4A03D-MC1HT00

        HBM

        SAMSUNG/三星

        24Gb

        HBM3-6.4Gbps

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        KHBA84A03D-MC1HT00

        KHBA84A03D-MC1HT00

        HBM

        SAMSUNG/三星

        16Gb

        HBM3-6.4Gbps

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        KHAA84901B-JC17T00

        KHAA84901B-JC17T00

        HBM

        SAMSUNG/三星

        16Gb

        HBM2E-3.6Gbps

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        KHA884901X-MC13TNX

        KHA884901X-MC13TNX

        HBM

        SAMSUNG/三星

        8Gb

        HBM2-2.4Gbps

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        KHA884901X-MC12TIF

        KHA884901X-MC12TIF

        HBM

        SAMSUNG/三星

        8Gb

        HBM2-2.0Gbps

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        K3QF3F30BM-AGCF

        K3QF3F30BM-AGCF

        LPDDR3

        SAMSUNG/三星

        16 Gb

        x64

        1866 Mbps

        1.8 / 1.2 / 1.2 V

        -25 ~ 85 °C

        253 FBGA

        EOL

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        K3UH5H50MM-NGCJ

        K3UH5H50MM-NGCJ

        LPDDR4X

        SAMSUNG/三星

        32Gb

        x64

        3733 Mbps

        1.8 / 1.1 / 0.6 V

        -25 ~ 85 °C

        366FBGA

        Mass Production

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        K4U8E3S4AD-CHCL

        K4U8E3S4AD-CHCL

        LPDDR4X

        SAMSUNG/三星

        8 Gb

        x32

        4266 Mbps

        1.8 / 1.1 / 0.6 V

        -40 ~ 105 °C

        200FBGA

        Mass Production

        四代超低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器

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        K4E8E324EB-EGCG

        K4E8E324EB-EGCG

        LPDDR3

        SAMSUNG/三星

        8 Gb

        x32

        2133 Mbps

        1.8 / 1.2 / 1.2 V

        -25 ~ 85 °C

        178FBGA

        批量生產(chǎn)

        三代低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器

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        KLMCG2UCTB-B041T02

        KLMCG2UCTB-B041T02

        eMMC 5.1

        SAMSUNG/三星

        64 GB

        1.8 / 3.3 V

        -25 ~ 85 °C

        11.5 x 13 x 0.8 mm

        Mass Production

        HS400

        eMMC 5.1

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        K3QF6F60AM-FGCF

        K3QF6F60AM-FGCF

        LPDDR3

        SAMSUNG/三星

        24Gb

        x64

        1866 Mbps

        1.8 / 1.2 / 1.2 V

        -25 ~ 85 °C

        256FBGA

        Mass Production

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        K4U6E3S4AB-MGCL

        K4U6E3S4AB-MGCL

        LPDDR4X

        SAMSUNG/三星

        16 Gb

        x32

        4266 Mbps

        1.8 / 1.1 / 0.6 V

        -25 ~ 85 °C

        200 FBGA

        Mass Production

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        K4A8G165WC-BCTD

        K4A8G165WC-BCTD

        DDR4

        SAMSUNG/三星

        8 Gb

        512M x 16

        2666 Mbps

        1.2 V

        0 ~ 85 °C

        96 FBGA

        Mass Production

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        KMGX6001BA-B514009

        KMGX6001BA-B514009

        LPDDR3

        SAMSUNG/三星

        1866 Mbps

        221 FBGA

        Mass Production

        eMMC 5.1

        32 GB

        24 Gb

        多芯片封裝

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        K4UBE3D4AM-GHCL

        K4UBE3D4AM-GHCL

        LPDDR4X

        SAMSUNG/三星

        32Gb

        x32

        4266 Mbps

        1.8 / 1.1 / 0.6 V

        -40 ~ 105 °C

        200FBGA

        Mass Production

        四代超低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器

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        H26M52208FPRI

        H26M52208FPRI

        eMMC

        SK hynix/海力士

        16GB

        3.3V / 1.8V

        -40~85C

        FBGA

        eMMC 5.1 > EE510A

        MP

        IT

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        H5WRAGESM8W-N8L

        H5WRAGESM8W-N8L

        HBM

        SK hynix/海力士

        16Gb,8Hi

        HBM2E-3.6Gbps

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        H5WRAGESM8W-N6L

        H5WRAGESM8W-N6L

        HBM

        SK hynix/海力士

        16Gb,8Hi

        HBM2E-3.2Gbps

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