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        CN | EN

        產(chǎn)品品牌

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        型號

        規(guī)格書

        DRAM類型

        容量

        架構(gòu)

        速率

        工作電壓

        工作溫度

        產(chǎn)品詳情

        MT40A1G16KD-062E:E

        MT40A1G16KD-062E:E

        DRAM DDR4

        MICRON/美光

        16Gb

        1Gx16

        1.14V~1.26V

        0°C~95°C

        TFBGA-96

        EOL

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        MT40A1G16KD-062E IT:E TR

        MT40A1G16KD-062E IT:E TR

        DRAM DDR4

        MICRON/美光

        16Gb

        1Gx16

        1.14V~1.26V

        -40°C~95°C

        TFBGA-96

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        MT41K512M16VRP-107 IT:P TR

        MT41K512M16VRP-107 IT:P TR

        DRAM DDR3

        MICRON/美光

        8Gb

        512Mx16

        1866Mbps

        1.35V

        0°C~85°C

        FBGA-96

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        MT41K512M16VRN-107 IT:P

        MT41K512M16VRN-107 IT:P

        DRAM DDR3

        MICRON/美光

        8Gb

        x16

        1866 MT/s

        -40°C~95°C

        FBGA-96

        D9XLQ

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        MT41K256M8DA-125:K

        MT41K256M8DA-125:K

        DRAM DDR3L

        MICRON/美光

        2Gb

        x8

        1600 MT/s

        1.35V

        0°C~95°C

        FBGA-78

        8mm×10.5mm×1.2mm

        FBGA CodeD9PSH

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        MT41K128M16JT-125:K

        MT41K128M16JT-125:K

        DRAM DDR3L

        MICRON/美光

        2Gb

        x16

        1600 MT/s

        1.35V

        0°C~95°C

        FBGA-96

        8mm×14mm×1.2mm

        D9PTK

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        MT47H64M16NF-25E IT:M

        MT47H64M16NF-25E IT:M

        DRAM DDR2

        MICRON/美光

        1Gb

        64Mx16

        1.7V~1.9V

        -40°C~95°C

        FBGA-84

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        MT47H128M8SH-25E IT:M

        MT47H128M8SH-25E IT:M

        DRAM DDR2

        MICRON/美光

        1Gb

        x8

        800 MT/s

        1.8V

        -40°C~95°C

        FBGA-60

        8mm×10mm

        D9RZW

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        MT47H128M16RT-25E IT:C

        MT47H128M16RT-25E IT:C

        DRAM DDR2

        MICRON/美光

        2Gb

        128Mx16

        1.7V~1.9V

        -40°C~95°C

        TFBGA-84

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        MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR

        MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR

        DRAM

        MICRON/美光

        256Mb

        16Mx16

        3V~3.6V

        -40℃~85℃

        TSOP-54

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        MT46V64M8CY-5B:J TR

        MT46V64M8CY-5B:J TR

        DRAM

        MICRON/美光

        512Mb

        64Mx8

        2.5V~2.7V

        0°C~70°C

        FBGA-60

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        MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR

        MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR

        DRAM

        MICRON/美光

        1Gb

        64Mx16

        1.7V~1.95V

        -40℃~85℃

        VFBGA-60

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        MT40A512M16LY-075:E

        MT40A512M16LY-075:E

        DRAM DDR4

        MICRON/美光

        8Gb

        512Mx16

        1.14V~1.26V

        0°C~95°C

        FBGA-96

        EOL

        D9WFH

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        NT5CC128M16JR-EK

        NT5CC128M16JR-EK

        DRAM DDR3

        NANYA/南亞

        2Gb

        x16

        1866Mbps

        1.35V

        0°C~95°C

        BGA-96

        Developing

        7.5mm×13mm×0.8mm

        商業(yè)級

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        NT6CL256T32BM-H2

        NT6CL256T32BM-H2

        DRAM LPDDR3

        NANYA/南亞

        8Gb

        x32

        1600Mbps

        1.2V

        -25°C~85°C

        BGA-178

        Mass Production

        10.5mm×11.5mm×0.8mm

        商業(yè)級

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        NT6CL256M32AM-H1

        NT6CL256M32AM-H1

        DRAM LPDDR3

        NANYA/南亞

        8Gb

        x32

        1866Mbps

        1.2V

        -35°C~105°C

        BGA-178

        Developing

        10.5mm×11.5mm×0.83mm

        商業(yè)級

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        NT5CC64M16GP-DI

        NT5CC64M16GP-DI

        DRAM DDR3

        NANYA/南亞

        1Gb

        x16

        1600Mbps

        1.35V

        0°C~95°C

        BGA-96

        Mass Production

        8mm×13mm×0.8mm

        商業(yè)級

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        NT5CC512M8EN-EK

        NT5CC512M8EN-EK

        DRAM DDR3

        NANYA/南亞

        4Gb

        x8

        1866Mbps

        1.35V

        0°C~95°C

        BGA-78

        Mass Production

        8mm×10.5mm×0.8mm

        商業(yè)級

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        NT5CC256M16ER-EKI

        NT5CC256M16ER-EKI

        DRAM DDR3

        NANYA/南亞

        4Gb

        x16

        1866Mbps

        1.35V

        -40°C~95°C

        BGA-96

        Mass Production

        8mm×13mm×0.8mm

        工業(yè)級

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        NT5CC256M16ER-EK

        NT5CC256M16ER-EK

        DRAM DDR3

        NANYA/南亞

        4Gb

        x16

        1866Mbps

        1.35V

        0°C~95°C

        BGA-96

        Mass Production

        8mm×13mm×0.8mm

        商業(yè)級

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